欢迎访问科技网!

您当前的位置: 首页 > 科技动态

晶体中霍普夫子的实验证据首现

发布时间:2023-11-26 06:06:35 来源:科技日报 字号: [ 大 ] [ 中 ] [ 小 ]

科技日报北京1123日电 (记者张梦然)霍普夫子是几十年前预测的磁自旋结构,近年来已成为热门且具有挑战性的研究课题。22日发表在《自然》杂志上的一项研究中,来自瑞典、德国和中国的科学家合作提出有关霍普夫子的第一个实验证据。

瑞典乌普萨拉大学物理系研究员菲利普·雷巴科夫表示,从基础和应用的角度来看,该研究结果很重要,因为实验物理学和抽象数学理论之间已经出现了一座新的桥梁,有可能导致霍普夫子在自旋电子学中得到应用。

磁性斯格明子和霍普夫子是拓扑结构,由于其独特的类粒子特性而成为过去10年的热门研究课题。斯格明子是二维的,类似于涡旋状的弦,而霍普夫子是磁性样本体积内的三维结构,类似于甜甜圈形状的封闭、扭曲的斯格明子弦。

尽管近年来进行了广泛的研究,但仅在合成材料中报道过磁性霍普夫子的直接观察。最新研究成果是使用透射电子显微镜和全息术,在B20FeGe板晶体中稳定这种状态的第一个实验证据。结果具有高度可重复性,并且与微磁模拟完全一致。研究人员提供了统一的斯格明子霍普夫子同伦分类,并深入了解三维手性磁体中拓扑孤子的多样性。

这些发现开辟了实验物理学的新领域。同时,由于该物体是新事物,其许多有趣的特性仍有待发现。研究人员表示,霍普夫子未来最受关注的应用领域包括赛道内存、神经形态计算和量子位。


【免责声明】本文转载自网络,与科技网无关。科技网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。